[发明专利]可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法有效
申请号: | 201310094074.1 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103113103A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 方亮;郭汝丽;郑少英;向飞 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
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地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为BiZn2VO6。(1)将纯度为99.9%以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO6的组成配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在650℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在710~750℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。本发明制备的陶瓷在710-750℃烧结良好,其介电常数达到32~36,品质因数Qf值高达65000-108000GHz,谐振频率温度系数小。 | ||
搜索关键词: | 低温 烧结 微波 陶瓷 bizn sub vo 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种复合氧化物作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述复合氧化物的组成为:BiZn2VO6;所述复合氧化物的制备方法步骤为:(1)将纯度为99.9%以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO6的组成配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在650℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在710~750℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。
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