[发明专利]一种离子注入Ag/TiO2复合抗菌薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310084246.7 申请日: 2013-03-18
公开(公告)号: CN103181399A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 侯兴刚;王学敏;姚琨;刘峰;王立群;李德军 申请(专利权)人: 天津师范大学
主分类号: A01N59/16 分类号: A01N59/16;A01P1/00
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 朱红星
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种Ag/TiO2复合抗菌薄膜及其制备方法,它主要由衬底、表层掺杂Ag离子的薄膜层组成,所述Ag离子掺杂剂量为1×1015-1×1018ions/cm2,注入时真空压强为1×10-1–1×10-3Pa;注入机的加速电压为1–100kV,离子束流为0.1–10mA,一共镀3-4层膜,薄膜厚度为140-200nm。本发明利用Ag离子在TiO2能带中产生的间隙能级,降低TiO2薄膜光生电子空穴对的复合率,提高TiO2薄膜光催化效率,并使TiO2薄膜吸收光谱发生红移,提高可见光的吸收率,也就提高了TiO2薄膜的抗菌效率。与普通的Ag或TiO2复合抗菌剂比较,Ag/TiO2复合抗菌薄膜可以提供更加高效的杀灭大肠杆菌的效率。
搜索关键词: 一种 离子 注入 ag tio sub 复合 抗菌 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种Ag/TiO2复合抗菌薄膜,其特征在于由衬底、表层掺杂Ag离子的薄膜层组成,所述Ag离子掺杂剂量为1×1015‑1×1018ions/cm2,注入时真空压强为1×10‑1 –1×10‑3 Pa;注入机的加速电压为1–100 kV,离子束流为0.1–10 mA,一共镀3‑4层膜,薄膜厚度为140‑200nm。
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