[发明专利]一种高三阶交调点可变衰减器无效
| 申请号： | 201310080990.X | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103178801A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 戴永胜;朱勤辉;施淑媛;罗鸣;杨静霞;张林;冯辰辰;顾家;陈湘治;方思慧;陈龙;朱丹;邓良;李雁 | 申请（专利权）人： | 江苏奕扬电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/24 | 分类号： | H03H7/24 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210042 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高三阶交调点可变衰减器，在微波输入端口RFIN和微波输出端口RFOUT间级联N个场效应晶体管（FET）,在输入端口RFIN和与其连接的第一个场效应晶体管(FET)之间的点和地之间间级联N个场效应晶体管(FET)，在输出端口RFOUT和与其连接的第一个场效应晶体管(FET)之间的点和地之间级联N个场效应晶体管(FET)。本发明是一种用于雷达、通信的电子部件，是一种高三阶交调点的线性电压控制衰减器集成电路。具有小型，轻量级，高出产量，低成本等特点，并且简单易用，低功率耗散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高三阶交调点 可变 衰减器 | ||
【主权项】：
一种高三阶交调点可变衰减器，其特征在于：在微波输入端口RFIN和微波输出端口RFOUT间级联N个场效应晶体管（FET）,N为大于等于2的整数；微波输入端口RFIN与场效应晶体管(FET)的源极相连，场效应晶体管(FET)的漏极与下一个场效应晶体管(FET)的源极相连，依次级联N个，第N个场效应晶体管(FET)的漏极与微波输出端口RFOUT相连；在输入端口RFIN和与其连接的第一个场效应晶体管(FET)之间的点和地之间间级联N个场效应晶体管(FET)，微波输入端口RFIN与场效应晶体管(FET)的源极相连，场效应晶体管(FET)的漏极与下一个场效应晶体管(FET)的源极相连，依次级联N个，第N个场效应晶体管(FET)的漏极与地相连；在输出端口RFOUT和与其连接的第一个场效应晶体管(FET)之间的点和地之间级联N个场效应晶体管(FET)，微波输出端口RFOUT与场效应晶体管(FET)的源极相连，场效应晶体管(FET)的漏极与下一个场效应晶体管(FET)的源极相连，依次级联N个，第N个场效应晶体管(FET)的漏极与地相连。
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