[发明专利]疏松薄壁气敏元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310068237.9 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103149247A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 苏慧兰;由雪玲;张荻 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种疏松薄壁的气敏元件及其制备方法，该气敏元件包括具有疏松薄壁结构的金属氧化物气敏复合材料和基底；其中，气敏复合材料为贵金属掺杂的、均匀分布的纳米颗粒。本发明制备该气敏元件的方法包括：对模板进行预处理后，放入前驱液中进行三步浸渍；再依次经过清洗、干燥、烧结处理，制得疏松薄壁结构的金属氧化物气敏复合材料；最后将其涂覆于基底表面，并进行老化处理，制得具有疏松薄壁结构的金属氧化物气敏元件。本发明还公开了一种制备疏松薄壁的气敏元件的方法，其工艺简单，通过改变复合物的种类、调控纳米颗粒的尺寸、选择不同的模板来获得具有优良性能的气敏元件，制得的疏松薄壁气敏元件能对待测气体表现出高的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 疏松 薄壁 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种疏松薄壁的气敏元件，其特征在于，包括具有疏松薄壁结构的金属氧化物气敏复合材料和基底；所述疏松薄壁结构的金属氧化物气敏复合材料为贵金属掺杂的、均匀分布的纳米颗粒，所述基底为氧化铝陶瓷；所述贵金属为钯、铂、金中的一种或多种。
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