[发明专利]半桥反激和正激有效
| 申请号： | 201310039743.5 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103227569A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 姆拉登·伊万科维克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本公开涉及半桥反激和正激。本发明提供的电路包括：高端开关、低端开关、二极管、具有初级绕组和次级绕组的变压器和被连接到初级绕组的第一端子的输入端。高端开关具有源极、连接到驱动源的栅极和连接到初级绕组的第二端子的漏极。低端开关具有连接到地的源极、连接到驱动源的栅极和连接到高端开关的源极的漏极。该二极管被连接在高端开关的栅极和初级绕组的第一端子之间。当低端开关关闭，直到高端开关关闭时，该二极管与初级绕组和高端开关形成电流回路以循环电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半桥反激 | ||
【主权项】：
一种电路，包括：变压器，具有初级绕组和次级绕组；输入端，被连接到所述初级绕组的第一端子；高端开关，具有源极、连接到驱动源的栅极和连接到所述初级绕组的第二端子的漏极；低端开关，具有连接到地的源极、连接到驱动源的栅极和连接到所述高端开关的所述源极的漏极；以及二极管，连接在所述高端开关的栅极和所述初级绕组的所述第一端子之间。
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