[发明专利]一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO4晶体的方法有效
| 申请号： | 201310032669.4 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103088401A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王世武;贾延伟;王鸿雁 | 申请（专利权）人： | 青岛海泰光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/32 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 266107 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO4晶体的方法，解决了现有熔盐法生长的KTiOAsO4晶体存在生长纹及多畴缺陷，包裹物多、晶体均匀性差的问题，其特点是包括以下步骤：KH2AsO4重结晶后去头去尾；将重结晶后的KH2AsO4与K2CO3、TiO2、氟化物加入铂坩埚，合成KTiOAsO4、K4As2O7、氟化物的均匀混合原料；顶部籽晶法生长KTiOAsO4晶体，其中：籽晶晶向为Z向<001>，籽晶杆转速20～60rpm，籽晶杆旋转方式为正转-停止-反转，晶体生长起始温度850～950℃，温度梯度0.2～2℃/cm，降温速率0.5～2℃/day，降温40～60℃。本发明实现了高质量KTiOAsO4晶体的重复性生长，提高了KTiOAsO4晶体的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 新型 熔剂 熔盐法 生长 ktioaso sub 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO4晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）用纯水将KH2AsO4加热溶解、过滤、冷却、析出，重结晶后去头去尾；（2）在超净房中，将重结晶后的KH2AsO4与K2CO3、TiO2、氟化物加入铂坩埚中；（3）将铂坩埚放置于合料炉内，高温1000～1200℃搅拌合成KTiOAsO4、K4As2O7、氟化物的均匀混合物料，之后冷却至室温；（4）将铂坩埚迅速放入干燥的熔盐炉内；（5）顶部籽晶法生长KTiOAsO4晶体，其中：籽晶晶向为Z向<001>，籽晶杆转速20～60rpm，籽晶杆旋转方式为正转‑停止‑反转，晶体生长起始温度850～950℃，温度梯度0.2～2℃/cm，降温速率0.5～2℃/day，降温40～60℃；（6）晶体生长结束后，将熔盐炉降至室温，取出制得的KTiOAsO4晶体。
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