[发明专利]一种在晶硅太阳能电池表面上制备氧化铝钝化薄膜的方法无效
申请号: | 201310010027.4 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103928564A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 王丽娟;张伟;秦海涛 | 申请(专利权)人: | 长春工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种涉及在晶硅太阳能电池表面上镀氧化铝钝化薄膜的方法,该方法是在晶硅太阳能电池表面镀一层氧化铝薄膜,其步骤包括:(1)材料的选择,铝来源为氯化铝,以无水乙醇与其发生反应。(2)铝溶胶的制备,将氯化铝材料溶解于一定浓度的无水乙醇中,充分搅拌震荡直至溶液变澄清为止,并调节其溶胶pH值在1~2之间。(3)氧化铝钝化薄膜的制备,将制备的铝溶胶滴在晶硅太阳能电池表面并旋涂,然后将旋涂好的样品烘干,在一定条件下退火,退火完毕后均匀冷却至常温。由此在晶硅太阳能电池表面制备一层氧化铝钝化薄膜,该薄膜对晶硅太阳能电池具有较好的钝化效果。本发明采用的化学溶液沉积法简单易行、成本低廉。衬底选择为晶硅太阳能电池,氧化铝薄膜对晶硅太阳能电池具有优异的钝化效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 表面上 制备 氧化铝 钝化 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种在晶硅太阳能电池表面上制备氧化铝钝化薄膜的方法,其特征在于,通过在晶体硅太阳能电池上沉积一层氧化铝薄膜;其制备步骤为:(1)材料的选择,本发明最初的铝来源为氯化铝,用无水乙醇与其发生反应;(2)铝溶胶的制备,在通风条件下,将氯化铝材料溶解于一定浓度的无水乙醇中,充分搅拌震荡直至溶液变的澄清为止,以便溶胶达到均一透明,并调节其溶胶PH值在1~2之间;(3)氧化铝钝化薄膜的制备,将制备的铝溶胶旋涂于晶硅太阳能电池表面,首先在转速约为400~1000rpm条件下旋涂约10s,然后在转速为4000~6000rpm条件下旋涂约30s,将旋涂好的样品置于烘干箱内,在约80℃条件下干燥大概30min,最后在一定条件下退火,退火温度在300~500℃左右,退火时的保护气体为氮气,退火完毕后均匀冷却至常温;由此在衬底为晶硅太阳能电池表面上镀的氧化铝薄膜对晶硅太阳能电池具有优异的钝化效果,能够进一步提升晶硅太阳能电池的转换效率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春工业大学,未经长春工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310010027.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的