[发明专利]具有相位控制的高效能三线圈感应耦合等离子体源

摘要

一种等离子体处理设备可包括：处理腔室；第一RF线圈、第二RF线圈及第三RF线圈；至少一个铁氧体遮罩(ferrite shield)。该处理腔室具有内部处理容积；该第一RF线圈、该第二RF线圈及该第三RF线圈接近处理腔室设置以将RF能量耦合至处理容积中，其中第二RF线圈相对于第一RF线圈同轴地设置，且其中第三RF线圈相对于第一RF线圈及第二RF线圈同轴地设置；该至少一个铁氧体遮罩接近第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的至少一个设置，其中铁氧体遮罩经配置以局部导引通过RF电流产生的磁场，该RF电流经由第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈流向处理腔室，其中等离子体处理设备经配置以控制流经第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的每一个的每一RF电流的相位。

主权项

一种等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包含：处理腔室，所述处理腔室具有内部处理容积；第一RF线圈，所述第一RF线圈接近所述处理腔室设置，以将RF能量耦合至所述处理容积中；第二RF线圈，所述第二RF线圈接近所述处理腔室设置，以将RF能量耦合至所述处理容积中，所述第二RF线圈相对于所述第一RF线圈同轴地设置；第三RF线圈，所述第三RF线圈接近所述处理腔室设置，以将RF能量耦合至所述处理容积中，所述第三RF线圈相对于所述第一RF线圈及所述第二RF线圈同轴地设置；及至少一个铁氧体遮罩，所述至少一个铁氧体遮罩接近所述第一RF线圈、所述第二RF线圈或所述第三RF线圈中的至少一个设置，其中所述铁氧体遮罩经配置以局部围束通过RF电流所产生的磁场，所述RF电流经由所述第一RF线圈、所述第二RF线圈或所述第三RF线圈流向所述处理腔室，其中所述等离子体处理设备经配置以使得当RF电流流经这些RF线圈中的每一RF线圈时，所述RF电流经由所述第一RF线圈、所述第二RF线圈或所述第三RF线圈中的至少一个相对于所述第一RF线圈、所述第二RF线圈或所述第三RF线圈中的至少另一个为异相(out‑of‑phase)流动，或者所述RF电流的相位可经选择性地控制以在所述第一RF线圈、所述第二RF线圈或所述第三RF线圈中的至少一个中相对于所述第一RF线圈、所述第二RF线圈或所述第三RF线圈中的至少另一个为同相(in‑phase)或异相。