[发明专利]光检测装置有效

专利信息
申请号: 201280051817.0 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN103890972A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 永野辉昌;细川畅郎;铃木智史;马场隆 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L27/14;H01L27/146;H01L31/02;H01L31/10
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 光检测装置(1)具备:半导体光检测元件(10A),其具有半导体基板(1N);以及搭载基板(20),其与半导体光检测元件(10)相对配置。半导体光检测元件(10A)包含:多个雪崩光电二极管(APD),其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内;以及电极(E7),其相对于各雪崩光电二极管(APD)电连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Nb)侧。搭载基板(20)包含:多个电极(E9),其对应于每个电极(E7)而配置在主面(20a)侧;以及灭弧电阻(R1),其相对于各电极(E9)电连接并且配置在主面(20a)侧。电极(E7)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而连接。
搜索关键词: 检测 装置
【主权项】:
一种光检测装置,其特征在于,具备:半导体光检测元件,其具有包含相互相对的第一和第二主面的半导体基板;以及搭载基板,其与所述半导体光检测元件相对配置,并且具有与所述半导体基板的所述第二主面相对的第三主面;所述半导体光检测元件包含:多个雪崩光电二极管,其以盖革模式动作并且形成在半导体基板内;以及第一电极,其相对于各所述雪崩光电二极管电连接并且配置在所述半导体基板的所述第二主面侧;所述搭载基板包含:多个第二电极,其对应于每个所述第一电极而配置在所述第三主面侧;以及灭弧电路,其相对于各所述第二电极电连接并且配置在所述第三主面侧;且所述第一电极与对应于该第一电极的所述第二电极经由凸点电极而连接。
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