[发明专利]光检测装置有效
申请号: | 201280051817.0 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN103890972A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 永野辉昌;细川畅郎;铃木智史;马场隆 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L27/14;H01L27/146;H01L31/02;H01L31/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光检测装置(1)具备:半导体光检测元件(10A),其具有半导体基板(1N);以及搭载基板(20),其与半导体光检测元件(10)相对配置。半导体光检测元件(10A)包含:多个雪崩光电二极管(APD),其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内;以及电极(E7),其相对于各雪崩光电二极管(APD)电连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Nb)侧。搭载基板(20)包含:多个电极(E9),其对应于每个电极(E7)而配置在主面(20a)侧;以及灭弧电阻(R1),其相对于各电极(E9)电连接并且配置在主面(20a)侧。电极(E7)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而连接。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种光检测装置,其特征在于,具备:半导体光检测元件,其具有包含相互相对的第一和第二主面的半导体基板;以及搭载基板,其与所述半导体光检测元件相对配置,并且具有与所述半导体基板的所述第二主面相对的第三主面;所述半导体光检测元件包含:多个雪崩光电二极管,其以盖革模式动作并且形成在半导体基板内;以及第一电极,其相对于各所述雪崩光电二极管电连接并且配置在所述半导体基板的所述第二主面侧;所述搭载基板包含:多个第二电极,其对应于每个所述第一电极而配置在所述第三主面侧;以及灭弧电路,其相对于各所述第二电极电连接并且配置在所述第三主面侧;且所述第一电极与对应于该第一电极的所述第二电极经由凸点电极而连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280051817.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:病毒辨识方法与装置
- 下一篇:存储资源集中管理的方法与系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的