[发明专利]射频集成电路无效

专利信息
申请号: 201280034977.4 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN103843248A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: J·J·埃基南;J·J·瑞基;J·K·考科武里 申请(专利权)人: 美国博通公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/22;H03F1/26;H03F1/30;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/45;H03F3/72
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅;王冬
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施例涉及可配置RFIC。在一个实施例中,提供一种包括一个或者多个可配置低噪声放大器电路的可配置射频集成电路(RFIC),所述一个或者多个可配置低噪声放大器电路中的每个可配置低噪声放大器电路在以下拓扑之间可配置:内部输入阻抗匹配拓扑,在内部输入阻抗匹配拓扑中,相应低噪声放大器电路包括适于将相应低噪声放大器的输入阻抗与给定的输入匹配的一个或者多个内部输入阻抗匹配部件,该一个或者多个内部输入阻抗匹配部件位于相应低噪声放大器电路内部;以及与该内部输入阻抗匹配拓扑不同的拓扑。
搜索关键词: 射频 集成电路
【主权项】:
一种可配置射频集成电路(RFIC),包括一个或者多个可配置低噪声放大器电路,所述一个或者多个可配置低噪声放大器电路中的每个可配置低噪声放大器电路在以下拓扑之间可配置:内部输入阻抗匹配拓扑,在所述内部输入阻抗匹配拓扑中,相应低噪声放大器电路包括适于将所述相应低噪声放大器的输入阻抗与给定的输入匹配的一个或者多个内部输入阻抗匹配部件,所述一个或者多个内部输入阻抗匹配部件位于所述相应低噪声放大器电路内部;以及与所述内部输入阻抗匹配拓扑不同的拓扑。
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