[发明专利]用于使用离子轰击修改基片表面的方法有效
| 申请号： | 201280023271.8 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103703061A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | U.舒尔茨;P.蒙策特;R.蒂尔施;W.舍恩贝格尔;M.法兰;R.克莱因亨佩尔 | 申请（专利权）人： | 韶华欧洲有限责任公司 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;B29C59/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;刘春元 |
| 地址： | 德国大勒*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于通过离子轰击来修改基片表面（6）的方法，其中通过磁场辅助的辉光放电在工艺气体（10）中产生离子（7），所述辉光放电通过具有电极（1）和用于产生磁场（4）的至少一个磁体（3）的磁控管（8、9）来产生。所述工艺气体（10）具有至少一个电负性组分，使得在磁场辅助的所述辉光放电期间产生负离子（7），其中通过被施加到电极（1）的电压，在电极（1）的表面上所产生的所述负离子（7）在基片（6）的方向上被加速。击中基片（6）的负离子（7）造成基片表面（6）的修改，并且产生延伸进所述基片（6）中至少50nm深的表面结构（15）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 离子 轰击 修改 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种用于通过离子轰击来修改基片（6）的表面的方法，其中‑通过磁场辅助的辉光放电在工艺气体（10）中产生离子（7）；‑通过具有电极（1）和用于产生磁场（4）的至少一个磁体（3）的磁控管（8、9）产生磁场辅助的辉光放电；‑工艺气体（10）具有至少一个电负性组分，使得在磁场辅助的辉光放电中产生负离子（7）；‑通过被施加到电极（1）的电压，在电极（1）的表面处所产生的负离子（7）在基片（6）的方向上被加速；‑击中基片（6）的负离子（7）造成基片（6）的表面的修改；和‑通过离子轰击，在基片（6）的表面处产生表面结构（15），所述表面结构（15）延伸进基片（6）中至少50nm深。
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