[发明专利]使用吸收性传感器元件的方法有效

专利信息
申请号: 201280018003.7 申请日: 2012-03-27
公开(公告)号: CN103492872A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: M·C·帕拉佐托;S·H·格里斯卡;姜明灿;M·S·文德兰德 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00;G01N27/22;G01N21/45;G01N21/77
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈长会
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种使用吸收性传感器元件的方法,所述方法包括:提供所述吸收性传感器元件,将所述吸收性传感器元件加热至30℃至100℃范围内的温度,将所述吸收性传感器元件暴露于被分析物蒸汽,并测量所述吸收性传感器元件的电容相关特性和/或入射光反射时的光谱特征。所述吸收性传感器元件包括:基底、设置在所述基底上的第一构件、第二构件、以及设置在所述第一构件和所述第二构件之间并接触所述第一构件和所述第二构件的检测层,所述检测层包括自具微孔聚合物。
搜索关键词: 使用 吸收性 传感器 元件 方法
【主权项】:
一种使用吸收性传感器元件的方法,所述方法包括步骤:a)提供所述吸收性传感器元件,其中所述吸收性传感器元件包括:第一构件、第二构件以及设置在所述第一构件和所述第二构件之间并接触所述第一构件和所述第二构件的检测层,所述检测层包括自具微孔聚合物;b)将所述吸收性传感器元件加热至30℃至100℃范围内的温度;c)在所述吸收性传感器元件处于高温的同时,将所述吸收性传感器元件暴露于被分析物蒸汽;和d)测量下列项中的至少一个:i)所述吸收性传感器元件的电容相关特性,其中所述第一构件和所述第二构件为导电的,并且其中所述检测层为电介质;ii)反射光的至少一个光谱特征,其中所述第一构件为反射的,所述第二构件为半反射的,并且所述检测层为光学透射的,其中所述反射光的一部分被所述第一构件反射,并且其中所述反射光的一部分被所述第二构件反射;或iii)i)和ii)二者。
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