[实用新型]应用于低压变频器欠压保护电路中的比较耦合电路有效

专利信息
申请号: 201220723969.8 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN203225513U 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 钟红军 申请(专利权)人: 湖北华云电气有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 432000*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种应用于低压变频器欠压保护电路中的比较耦合电路,为了解决在变频调速系统中低压变频器欠压而导致主电路烧坏的难题,本实用新型提供在低压变频器欠压保护电路中设计一种比较耦合电路,该电路能有效避免低压变频器在工作过程中出现的欠压现象,通过欠电压和比较电压送比较器LM324F进行比较,欠压信号经非门74HC74取反后送光电耦合器H11A817耦合,耦合后信号再送入变频器单片机,单片机此时对欠压信号智能分析处理,从而保证低压变频器长时间持续正常工作。
搜索关键词: 应用于 低压 变频器 保护 电路 中的 比较 耦合
【主权项】:
一种应用于低压变频器欠压保护电路中的比较耦合电路,其特征是:将主电源R1与R2串接,主电源R3与2.5V稳压二极管串接,串接后两者电压分别是输入LM324的正负比较级,LM324取样信号同流经二极管D1、电阻R4的电压并联后流入非门74HC74输入端,D1与R4串联,光耦输入端串接阻值1.5KΩ的R5降压电阻,光耦输出端并联10K的R6钳位电阻,R6上接5V直流电压,比较器LM324对欠压信号取样比较,经非门翻转为低电位,导致通过发光二极管电压升高,光敏元件产生电流,光电耦合器经触发工作。
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