[实用新型]适用于太阳能高方阻电池的正电极网版

摘要

本实用新型涉及一种适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，包括有硅片本体，其特点是：硅片本体上分布有绒面，绒面上分布有高方阻发射结。在高方阻发射结表面分布有氮化硅膜，氮化硅膜上分布有栅线层。同时，栅线层上分布有密集栅线区域与次密栅线区域，密集栅线区域位于栅线层中部。有此，通过不等间距栅线的分布方式，解决了中心高方阻值区域串联电阻损耗较大问题以及边缘低方阻区域遮光损耗问题，提高了电池片效率。同时，依托于栅线变化区域的存在，可以降低了印刷时的单耗，节约浆料。再者，本实用型新整体构造简单，易于流水线生产推广。

主权项

适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，包括有硅片本体，其特征在于：所述的硅片本体上分布有绒面，所述的绒面上分布有高方阻发射结，所述的高方阻发射结表面分布有氮化硅膜，所述的氮化硅膜上分布有栅线层，所述的栅线层上分布有密集栅线区域与次密栅线区域，所述的密集栅线区域位于栅线层中部。