[实用新型]热致发声装置有效
| 申请号： | 201220615436.8 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN203167267U | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;林晓阳;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H04R23/00 | 分类号： | H04R23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种热致发声装置，其包括：一基底，具有一第一表面以及相对的第二表面；一绝缘层，设置于所述基底的第一表面；一热致发声元件，设置于所述第一表面的绝缘层的表面，并与所述基底绝缘设置；以及一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接；其中，所述基底为一硅基底，所述硅基底的第一表面形成有多个凸部，相邻的凸部之间形成一凹部，对应凹部位置处的热致发声元件相对于所述凹部悬空设置。 | ||
| 搜索关键词： | 发声 装置 | ||
【主权项】：
一种热致发声装置，包括： 一基底，具有一第一表面以及相对的第二表面； 一热致发声元件，设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置；以及一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接； 其特征在于，所述基底为一硅基底，所述硅基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽，所述凹槽的深度为100微米至200微米，所述热致发声元件包括一层状碳纳米管结构，该层状碳纳米管结构在所述凹槽处悬空设置。
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