[实用新型]一种用于生长金刚石厚膜的装置有效
申请号: | 201220602806.4 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN202936477U | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 尹龙承;孙芳;刘红玉 | 申请(专利权)人: | 牡丹江师范学院 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/503 |
代理公司: | 牡丹江市丹江专利商标事务所(特殊普通合伙) 23205 | 代理人: | 张雨红 |
地址: | 157011 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于生长金刚石厚膜的装置,适用于直流辉光等离子体沉积法制备金刚石膜工艺。它包括金刚石膜生长的基底本体,所述基底本体是由一圆柱形金属内盘(1)和一金属外环(2)构成,金属外环(2)套在金属内盘(1)外,二者顶面在同一水平面上,且二者间留有间隙。将该装置放入直流辉光等离子体沉积室内,作为金刚石厚膜生长的基底,可有效消除电场分布不均导致的金刚石厚膜边缘厚中间薄现象,获得厚度均匀的金刚石厚膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 生长 金刚石 装置 | ||
【主权项】:
一种用于生长金刚石厚膜的装置,包括金刚石膜生长的基底本体,其特征在于,所述基底本体是由一圆柱形金属内盘(1)和一金属外环(2)构成,金属外环(2)套在金属内盘(1)外,二者顶面在同一水平面上,且二者间留有间隙。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的