[实用新型]一种用于生长金刚石厚膜的装置有效

专利信息
申请号: 201220602806.4 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN202936477U 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 尹龙承;孙芳;刘红玉 申请(专利权)人: 牡丹江师范学院
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/503
代理公司: 牡丹江市丹江专利商标事务所(特殊普通合伙) 23205 代理人: 张雨红
地址: 157011 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 实用新型涉及一种用于生长金刚石厚膜的装置,适用于直流辉光等离子体沉积法制备金刚石膜工艺。它包括金刚石膜生长的基底本体,所述基底本体是由一圆柱形金属内盘(1)和一金属外环(2)构成,金属外环(2)套在金属内盘(1)外,二者顶面在同一水平面上,且二者间留有间隙。将该装置放入直流辉光等离子体沉积室内,作为金刚石厚膜生长的基底,可有效消除电场分布不均导致的金刚石厚膜边缘厚中间薄现象,获得厚度均匀的金刚石厚膜。
搜索关键词: 一种 用于 生长 金刚石 装置
【主权项】:
一种用于生长金刚石厚膜的装置,包括金刚石膜生长的基底本体,其特征在于,所述基底本体是由一圆柱形金属内盘(1)和一金属外环(2)构成,金属外环(2)套在金属内盘(1)外,二者顶面在同一水平面上,且二者间留有间隙。
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