[实用新型]石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置

摘要

石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置，它涉及一种镀裂解碳装置，本实用新型为解决生长含锂的半导体在温度高于800℃时，锂挥发导致生长单晶体用石英管内壁发生严重腐蚀、甚至石英管破裂以及现有的石墨坩埚含有大量的孔隙导致表面粗糙、不利于生长单晶体的问题。石英管沉淀管平放在加热炉内且管口设置在加热炉外，石英管沉淀管内的侧壁设置有石英支架；将待镀石墨坩埚设置在石英管沉淀管内并通过石英支架支撑，沉淀管盖紧密套装在石英管沉淀管管口处的外壁上，第一进气管的一端穿过沉淀管盖的第一盖孔设置在待镀石墨坩埚的底部。本实用新型用于在石英管或石墨坩埚上镀裂解碳。

主权项

石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置，所述镀裂解碳装置包括加热炉(1)、石英管沉淀管(2)、沉淀管盖(3)、石英支架(4)、第一进气管(5)、第一排气管(6)、玻璃通气管道(7)、第二进气管(8)、第二排气管(9)、第一二通阀(10)、第二二通阀(11)、气体流量计(12)、装高纯丙酮的容器(13)、带有小孔的石英管(14)和两个开关阀门(15)，其特征在于：沉淀管盖(3)端面的中心处沿其厚度方向加工有第一盖孔(3‑1)，沉淀管盖(3)上位于第一盖孔(3‑1)的下方的端面沿其厚度方向加工有第二盖孔(3‑2)，带有小孔的石英管(14)的底端管壁中心处加工有第一通孔(14‑1)，所述底端管壁上环绕第一通孔(14‑1)均匀加工有多个第二通孔(14‑2)，石英管沉淀管(2)平放在加热炉(1)内且管口设置在加热炉(1)外，石英管沉淀管(2)内的侧壁设置有石英支架(4)；将待镀石墨坩埚(16)设置在石英管沉淀管(2)内并通过石英支架(4)支撑，沉淀管盖(3)紧密套装在石英管沉淀管(2)管口处的外壁上，第一进气管(5)的一端穿过沉淀管盖(3)的第一盖孔(3‑1)设置在待镀石墨坩埚(16)的底部，或者将待镀石英管(17)设置在石英管沉淀管(2)内并通过石英支架(4)支撑，带有小孔的石英管(14)紧密贴合设置在待镀石英管(17)内的管口一端，沉淀管盖(3)紧密套装在石英管沉淀管(2)管口处的外壁上，第一进气管(5)的一端依次穿过沉淀管盖(3)的第一盖孔(3‑1)和带有小孔的石英管(14)的第一通孔(14‑1)设置在待镀石英管(17)的底部，带有小孔的石英管(14)、待镀石墨坩埚(16)和待镀石英管(17)的开口方向与石英管沉淀管(2)的开口方向相同；第一排气管(6)的一端穿过第二盖孔(3‑2)设置在石英管沉淀管(2)内的管口端，第一排气管(6)的另一端设置在石英管沉淀管(2)外，玻璃通气管道(7)包括第一玻璃通气管(7‑1)、第二玻璃通气管(7‑2)、第三玻璃通气管(7‑3)、第四玻璃通气管(7‑4)和第五玻璃通气管(7‑5)，第一玻璃通气管(7‑1)、第二玻璃通气管(7‑2)、第三玻璃通气管(7‑3)、第四玻璃通气管(7‑4)和第五玻璃通气管(7‑5)依次连通设置为一体，第二玻璃通气管(7‑2)的侧壁上连通设置有第二进气管(8)，第二进气管(8)的侧壁上连通设置有气体流量计(12)，第二进气管(8)和第二玻璃通气管(7‑2)连接处的内部设置有第一二通阀(10)，第四玻璃通气管(7‑4)的侧壁上连通设置有第二排气管(9)，第四玻璃通气管(7‑4)和第二排气管(9)连接处的内部设置有第二二通阀(11)，第一玻璃通气管(7‑1)和第五玻璃通气管(7‑5)的内部各设置有一个开关阀门(15)，第一玻璃通气管(7‑1)和第五玻璃通气管(7‑5)的下端设置在装高纯丙酮的容器(13)内，第一玻璃通气管(7‑1)的下端位于丙酮溶液内，第五玻璃通气管(7‑5)的下端位于丙酮溶液的液面上方，第一进气管(5)的另一端与第二排气管(9)连通固接。