[实用新型]一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器有效
申请号: | 201220240972.4 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202794772U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 刘尧虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器,涉及液晶显示领域,用以简化半透半反式液晶显示器阵列基板上像素结构的制作工艺提高开口率。该液晶显示面板,包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板,TFT阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶,彩膜基板包括公共电极层和彩膜层,TFT阵列基板包括像素单元,每个像素单元的像素电极包括透射区像素电极和反射区像素电极;每个像素单元的TFT包括第一TFT和第二TFT。本实用新型提供的方案适用于半透半反式液晶显示器的生产。 | ||
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【主权项】:
一种半透半反液晶显示面板,包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板,所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶,所述彩膜基板包括公共电极层和彩膜层,所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线、数据线形成的像素单元,其特征在于, 每个像素单元的像素电极包括透射区像素电极和反射区像素电极; 每个像素单元的TFT包括第一TFT和第二TFT; 其中,所述第一TFT的栅极与栅线连接,所述第一TFT的源极与数据线连接,所述第一TFT的漏极与所述透射区像素电极连接;所述第二TFT的栅极与所述栅线连接,所述第二TFT的源极与所述第一TFT的漏极连接,所述第二TFT的漏极与所述反射区像素电极连接。
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