[发明专利]一种单光源植入式神经多点同步交互芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210591084.1 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103035774A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 孙小菡;董纳;蒋卫锋;陈源源 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L31/12 分类号: H01L31/12;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211189 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种单光源植入式神经多点同步交互芯片,包括衬底、中部设有记录电路层的第一绝缘隔离层、第二绝缘隔离层、激励光路层和单光源发射模块;第一绝缘隔离层包覆在记录电路层的表面,激励光路层固定连接在第一绝缘隔离层顶面;第一绝缘隔离层和激励光路层形成交互层,该交互层相对的两端分别为伸出衬底边缘的伸出端,第二绝缘隔离层固定连接在衬底的底面和交互层两个伸出端的底面,单光源发射模块位于交互层上;交互层的一个伸出端形成梳齿状探针组。该结构的芯片通过引入分束式多点激励探头减少了所需光源数量,降低了能耗与发热量,提高了持续工作的稳定性。同时,本发明还公开了该芯片的制备方法,该制备方法简单易行。
搜索关键词: 一种 光源 植入 神经 多点 同步 交互 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种单光源植入式神经多点同步交互芯片,其特征在于,所述的芯片为平面多层结构,包括衬底(1)、中部设有记录电路层(3)的第一绝缘隔离层(21)、第二绝缘隔离层(22)、激励光路层(4)和单光源发射模块(5);其中,第一绝缘隔离层(21)固定连接在衬底(1)顶面,第一绝缘隔离层(21)包覆在记录电路层(3)的表面,激励光路层(4)固定连接在第一绝缘隔离层(21)顶面,且激励光路层(4)的底面与第一绝缘隔离层(21)顶面重合;第一绝缘隔离层(21)和激励光路层(4)形成交互层,该交互层相对的两端分别为伸出衬底(1)边缘的伸出端,第二绝缘隔离层(22)固定连接在衬底(1)的底面和交互层两个伸出端的底面,单光源发射模块(5)位于交互层上,单光源发射模块(5)中部设有一有源层(52),且单光源发射模块(5)顶面设有外接驱动电极(51);所述的交互层的一个伸出端形成梳齿状探针组(6),探针组(6)作为芯片的可植入部分,探针组(6)包含m个探针单元,每个探针单元的底面上设有一个探测电极(7),交互层的另一个伸出端的底面上设有m个记录电极(8),记录电极(8)和单光源发射模块(5)位于交互层的同侧,每个记录电极(8)与一个探测电极(7)相对应;所述的记录电路层(3)包括m路平面导线(31),平面导线(31)的一端为探测电极触点(311),每个探测电极触点(311)与一个探测电极(7)相对应,且每个探测电极触点(311)通过钨塞(32)和与该探测电极触点(311)对应的探测电极(7)连接,平面导线(趴)的另一端为记录电极触点(312),每个记录电极触点(312)与一个记录电极(8)相对应,且每个记录电极触点(312)通过钨塞(32)和与该记录电极触点(312)对应的记录电极(8)连接;所述的激励光路层(4)包括分束式多点激励探头(41)和光包层(42),光包层(42)包覆在分束式多点激励探头(41)的表面;位于衬底(1)上方的分束式多点激励探头(41)为第一分束式多点激励探头(411),第一分束式多点激励探头(411)呈级联式1×2分束结构,级联级数为n,n为整数,且2n=m;位于探针组(6)中的分束式多点激励探头(41)为第二分束式多点激励探头(412),第二分束式多点激励探头(412)为梳齿状;第一分束式多点激励探头(411)的 入射端和第二分束式多点激励探头(412)的出射端均露出光包层(42);第一分束式多点激励探头(411)的入射端与有源层(52)连接,第一分束式多点激励探头(411)的出射端与第二分束式多点激励探头(412)的入射端连接,第二分束式多点激励探头(412)的出射端末端为楔形波导。
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