[发明专利]一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法有效
| 申请号： | 201210590054.9 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103042009A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 敖小俊;聂思武;吴一兵;辛钧启 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK光伏硅科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的电极保护罩浸入质量分数为6~12%的碱液中，在30~60℃下超声清洗10~200分钟；超声清洗完毕后，采用20~60℃去离子水鼓泡喷淋清洗至洗出液的pH呈中性，氮气干燥后，即得清洁的再生电极保护罩。该清洗方法采用物理与化学方法相结合，工艺简单，能有效去除还原炉电极保护罩表面沉积的多晶硅，实现保护罩得到重复利用，有利于降低多晶硅的生产成本，提升多晶硅产品的成本竞争优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 还原 用电 护罩 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将待清洗的电极保护罩浸入质量分数为6~12%的碱液中，在30~70℃下超声清洗10~200分钟；（2）超声清洗完毕后，采用20~60℃去离子水鼓泡喷淋清洗至洗出液的pH呈中性，氮气干燥后，即得清洁的再生电极保护罩。
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