[发明专利]一种电池化成检测系统及其吸收保护电路参数选择方法

摘要

本发明提供一种电池化成检测系统，包括比较电路、采样装置、IGBT模块和脉宽调制数字处理器，所述IGBT模块包括位于上桥臂的IGBT、位于下桥臂的IGBT和两个吸收保护电路，位于上桥臂的所述IGBT的源极与位于下桥臂的所述IGBT的漏极相连，两个所述IGBT的栅极均与所述脉宽调制数字处理器连接；所述吸收保护电路包括缓冲电容、快速恢复二极管和吸收电阻。本发明还提供一种通过并行自校正多目标遗传算法对电池化成检测系统中吸收保护电路的参数进行优化选择的方法。本发明主回路电感更小，能更好地控制瞬态电压。

主权项

一种电池化成检测系统，包括比较电路（1）和采样装置（6），所述电池（5）经所述采样装置（6）与所述比较电路（1）的输入端连接；其特征在于：还包括IGBT模块（4）和脉宽调制数字处理器（2），所述脉宽调制数字处理器（2）的输入端与所述比较电路（1）的输出端连接；所述IGBT模块（4）的输入端接开关电源（7），其输出端接所述电池（5），其控制端接所述脉宽调制数字处理器（2）；所述IGBT模块（4）包括位于上桥臂的IGBT（G）、位于下桥臂的IGBT（G）和两个吸收保护电路，位于上桥臂的所述IGBT（G）的源极与位于下桥臂的所述IGBT（G）的漏极相连，两个所述IGBT（G）的栅极均与所述脉宽调制数字处理器连接（2）；所述吸收保护电路包括缓冲电容（Cs）、快速恢复二极管（DS）和吸收电阻（Rs）；位于上桥臂的所述缓冲电容（Cs）的一端与位于上桥臂的所述快速恢复二极管（Ds）的正极相接，另一端与位于上桥臂的所述IGBT（G）的漏极相接，位于上桥臂的所述快速恢复二极管（Ds）的负极与位于上桥臂的所述IGBT（G）的源极相接；位于下桥臂的所述缓冲电容（Cs）的一端与位于下桥臂的所述快速恢复二极管（Ds）的负极相接，另一端与位于下桥臂的所述IGBT（G）的源极相接，位于下桥臂的所述快速恢复二极管（Ds）的正极与位于下桥臂的所述IGBT（G）的漏极相接；位于上桥臂的所述吸收电阻（Rs）接于位于上桥臂的所述IGBT（G）的漏极与位于下桥臂的所述快速恢复二极管（Ds）的负极之间，位于下桥臂的所述吸收电阻（Rs）接于位于下桥臂的所述IGBT（G）的源极与位于上桥臂的所述快速恢复二极管（Ds）的正极之间。