[发明专利]一种大面积纳米缝电极阵列并行制造的方法有效
| 申请号： | 201210563309.2 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103030098A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王文君;梅雪松;刘斌;王恪典;姜歌东;郑卜祥 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种大面积纳米缝电极阵列并行制造的方法，将金属薄膜图形结构置于PMMA光刻胶表面，利用光致膨胀机理使PMMA产生膨胀凸起，位于其表面的金属薄膜受到拉伸作用发生断裂产生纳米缝，通过控制PMMA的凸起高度实现纳米缝结构的尺寸调控，本发明采用的纳米缝加工方法能够一次性加工出所有尺度一致的纳米缝隙结构群，因此具有极高的加工效率，同时整个过程不需昂贵设备和复杂工艺，适合于大批量低成本的工业生产；是一种符合批量化、低成本和一致性等制造特征的纳米缝成形工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 纳米 电极 阵列 并行 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积纳米缝电极阵列并行制造的方法，其特征在于：将金属薄膜图形结构置于PMMA光刻胶表面，利用光致膨胀机理使PMMA产生膨胀凸起，位于其表面的金属薄膜受到拉伸作用发生断裂产生纳米缝，通过控制PMMA的凸起高度实现纳米缝结构的尺寸调控。
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