[发明专利]一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210562990.9 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103022254A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 石强;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;李永辉;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。相应地,本发明还提供一种渐变折射率减反膜太阳能电池。本发明的方法以及该方法制备的太阳能电池电学性能好,衰减小。 | ||
搜索关键词: | 一种 渐变 折射率 减反膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,其中,包括以下步骤:a)在硅片正面形成绒面;b)在所述硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;c)在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;d)在所述硅片背面形成背电极和铝背场;e)在所述硅片正面形成正电极;其特征在于:所述步骤c)中进一步包括:c1)在所述硅片正面形成减反膜;c2)以氨气、氮气中的一种或其混合气体为注入源对所述减反膜进行N注入,通过设备调节实现N在所述减反膜中的特定注入深度和浓度;c3)进行退火,将所述减反膜中的N进一步推进到指定深度,其中,经过N注入的所述减反膜形成渐变折射率层,未经过N注入的所述减反膜称为钝化层,所述渐变折射率层和所述钝化层组成渐变折射率减反膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的