[发明专利]适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法

摘要

本发明涉及一种适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于包括以下步骤：首先，在硅片表面制作绒面。之后，对硅片进行清晰后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，在硅片表面形成高方阻发射结。然后，去除硅片边结，在高方阻发射结表面制作氮化硅膜。最后，电极、电场共烧处理并进行栅线印刷。本发明设计不等间距栅线的印刷图形，解决了中心高方阻值区域串联电阻损耗较大问题以及边缘低方阻区域遮光损耗问题，提高了电池片效率。同时，依托于栅线变化区域的存在，可以降低了印刷时的单耗，节约浆料。再者，本发明整体构造简单，易于流水线生产推广。

主权项

适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，在硅片表面制作绒面；步骤②，对硅片进行清晰后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，在硅片表面形成高方阻发射结；步骤③，去除硅片边结；步骤④，在高方阻发射结表面制作氮化硅膜；步骤⑤，电极、电场共烧处理；步骤⑥，进行栅线印刷。