[发明专利]基于量子点的免疫荧光微流控芯片及其制法和用途

摘要

本发明公开一种免疫荧光微流控芯片，它是由两片聚二甲基硅氧烷(PDMS)叠合而成，上层由集成有入口微流路和细胞培养微腔的PDMS薄膜构成，下层由集成有微坑阵列的PDMS薄膜构成，所述的微坑阵列为40±10行、35±10列微坑组成的、长2.5±0.5mm、宽2±0.5mm微坑阵列，微坑为圆形，直径为30±5µm，深度为25±5μm，上层PDMS薄膜的细胞培养微腔与下层PDMS薄膜的微坑阵列对齐，两层PDMS薄膜通过氧等离子体处理后进行不可逆封接，构成基于量子点的免疫荧光微流控芯片。本发明的免疫荧光微流控芯片可以应用于单细胞水平膜表面糖基表达分析。本发明公开了其制法。

主权项

一种免疫荧光微流控芯片，其特征是：它是由两片聚二甲基硅氧烷(PDMS)叠合而成，上层由集成有入口微流路和细胞培养微腔的PDMS薄膜构成，PDMS膜厚度为2±0.5mm，所述的入口微流路是由一条长5±0.5mm的入口流路下接多条入口分支流路构成，多条入口分支流路与一个长2.5±0.5mm、宽2±0.5mm的细胞培养微腔相通，在细胞培养微腔的入口微流路的相对方向有出口微流路，出口微流路与入口微流路相对应，也由与细胞培养微腔相通的多条出口分支流路和出口流路构成，多条入口分支流路和多条出口分支流路可以保证液体均匀地流入和流出细胞培养微腔；下层由集成有微坑阵列的PDMS薄膜构成，所述的PDMS膜厚度为200±20µm，微坑阵列为40±10行、35±10列微坑组成的，微坑为圆形，直径为30±5µm，深度为25±5μm，相邻两微坑边界距离为25±5µm，上层PDMS薄膜的细胞培养微腔与下层PDMS薄膜的微坑阵列对齐，两层PDMS薄膜通过氧等离子体处理后进行不可逆封接，构成基于量子点的免疫荧光微流控芯片。