[发明专利]制备低位错密度硅锭的新型定向凝固方法无效
| 申请号： | 201210538320.3 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103866381A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李飞龙;许涛;翟传鑫;蒋俊峰 | 申请（专利权）人： | 阿特斯（中国）投资有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备低位错密度硅锭的新型定向凝固方法。所述方法包括以下步骤：S1，在坩埚底部均匀铺设碎硅料，在碎硅料上放置一具有规则形状的多晶硅块后装入硅原料；S2，将坩埚置于定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热至一定温度后向上打开隔热笼至一定位置，保持坩埚底部温度低于碎硅料的熔点且坩埚上下具有较大温差，调节控温热电偶控制硅原料熔化界面的推进速度，待碎硅料部分熔化后进入长晶阶段；S3，调节控温热电偶的温度和隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在未熔化的碎硅料上迅速成核，形成均匀的小晶粒，小晶粒在竖直向上的温度梯度下自下向上竖直生长；S4，待熔硅结晶完后经退火和冷却形成晶粒小且均匀的多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 低位 密度 新型 定向 凝固 方法 | ||
【主权项】：
一种制备低位错密度硅锭的新型定向凝固方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：S1，在坩埚底部均匀铺设一定量的碎硅料，并在均匀铺设的碎硅料上放置一具有规则形状的多晶硅块，再装入铸锭用硅原料；S2，将上述装有硅料的坩埚置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热至一定温度后向上打开定向凝固铸锭炉侧部隔热笼至一定位置，保持坩埚底部温度低于碎硅料的熔点且坩埚上下具有较大温差，再调节控温热电偶控制硅原料熔化界面的推进速度，待碎硅料部分熔化后进入长晶阶段；S3，调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在未熔化的碎硅料上迅速成核，形成均匀的小晶粒，小晶粒在竖直向上的温度梯度下自下向上竖直生长；S4，待熔硅结晶完后经退火和冷却形成晶粒小且均匀的多晶硅锭。
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