[发明专利]一种相变内存装置

摘要

本发明提供一种相变内存装置，该相变内存装置包括内存控制器和内存条，其中，所述内存条由多片非易失性相变内存芯片和易失性DRAM芯片组成；所述非易失性相变内存芯片和易失性DRAM芯片部分分别通过各自数据总线与内存控制器连接。本发明通过采用相变内存芯片和DRAM芯片的混合结构，使得更频繁被读写的数据被放置于易失性DRAM芯片中。由于DRAM芯片的读写速度比相变内存芯片高，而且不存在写损耗问题，因此降低了相变内存的平均写入次数，提高了寿命，同时也降低了内存条整体的功耗。

主权项

一种相变内存装置，该装置包括内存控制器和内存条，其特征在于，所述内存条由多片相变内存芯片和多片DRAM芯片组成；所述相变内存芯片部分和DRAM芯片部分分别通过各自数据总线与内存控制器连接；所述DRAM芯片和同等数量的相变内存芯片共同被映射为内存地址中的高位数据部分或者低位数据部分，其余相变内存芯片存储内存地址中的中间位部分。