[发明专利]高效多晶硅太阳电池的背场钝化工艺有效
申请号: | 201210525872.0 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN102945896A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 王红红;冯强;梁兴芳;王步峰 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 邓建国 |
地址: | 277600 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效多晶硅太阳电池的背场钝化工艺,包括:印刷背电场;印刷正电极;烧结;背电极焊接。与传统电池工艺相比,全背场钝化使用的印刷网版与传统工艺有很大区别,传统电池工艺的电池片背面需要印刷背电极和背电场,因此需要两块网版网版,而全背场钝化工艺只需要一块网版网版来印刷背电场。这种网版设计与传统钝化工艺网版设计相比,不再需要印刷背电极,钝化面积约增加了310mm2;传统工艺中,背电极需要印刷Ag/Al浆料,背电极遮蔽的面积部分得不到钝化,影响了背场钝化的均匀性,全背场钝化工艺对整个背面进行钝化,增加了背场的均匀性,并且节省了Ag/Al浆料。 | ||
搜索关键词: | 高效 多晶 太阳电池 钝化 工艺 | ||
【主权项】:
一种多晶硅太阳电池的背场钝化工艺,其特征在于,包括:印刷背电场;印刷正电极;烧结;焊接背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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