[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210495682.9 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102956752A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 杨亦桐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法，包括在柔性衬底上依次制备Mo背电极、吸收层、CdS缓冲层、i-ZnO/ZnO：Al透明导电层/窗口层和Ni/Al电极，其特征在于：所述吸收层采用后掺钠的制备方法。本发明由于采用吸收层制备工艺完成后再通过蒸发NaF进行后掺Na，不仅增加了吸收层的载流子浓度、降低了电阻率，而且吸收层晶体质量不受影响，吸收层薄膜晶粒尺寸不变，改善了吸收层的电学性能，能够有效提高薄膜太阳电池的电学性能，与目前同类电池比，采用该吸收层制备电池的光电转换效率可提高20%~30%。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法，包括在柔性衬底上依次制备Mo背电极、吸收层、CdS缓冲层、i‑ZnO/ZnO：Al透明导电层/窗口层和Ni/Al电极，其特征在于：所述吸收层采用后掺钠的制备方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所，未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210495682.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：滚珠式等速接头
- 下一篇：含有聚烯烃类的复合塑料的分离方法和分离装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
