[发明专利]一种石墨烯纳米带及其制备方法和在透明电极中的应用有效
| 申请号： | 201210495439.7 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103848415A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 智林杰;何海勇;王杰 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00;G02F1/155 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王凤桐;周建秋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将含有可纺高分子的溶液或熔融体通过静电纺丝沉积于石墨烯薄膜上形成掩模板；（2）将没有被所述掩模板覆盖的石墨烯薄膜上的石墨烯刻蚀掉；（3）将所述掩模板去除形成石墨烯纳米带；本发明还提供了由上述方法制备的石墨烯纳米带及其在透明电极中的应用。该方法具有工艺简单、成本低和易于大规模制备等优点，而且该方法制备得到的石墨烯纳米带的长度、宽度、厚度以及形态可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 纳米 及其 制备 方法 透明 电极 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种石墨烯纳米带的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将含有可纺高分子的溶液或熔融体通过静电纺丝沉积于石墨烯薄膜上形成掩模板；（2）将没有被所述掩模板覆盖的石墨烯薄膜上的石墨烯刻蚀掉；（3）将所述掩模板去除形成石墨烯纳米带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心，未经国家纳米科学中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210495439.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：熔盐之纯化剂与临场纯化方法
- 下一篇：一种介孔碳球材料的制备方法
