[发明专利]一种Sialon双晶纳米带及其制备方法无效
| 申请号： | 201210487457.0 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102924088A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 覃春林;温广武;王鑫宇;宋亮;夏龙;王春雨;钟博 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（威海） |
| 主分类号： | C04B35/599 | 分类号： | C04B35/599;C04B35/622;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人： | 王元生 |
| 地址： | 264200 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种Sialon双晶纳米带及其制备方法，其是将Si-Al-O-N-C粉末与碳粉压制成圆环形预制块，在高压氮气环境下，通过化学气相沉积法生长，在圆环形预制块周围形成Sialon双晶纳米带，其厚度为10-800nm，宽度为0.1-10μm，长1-15mm。所得Sialon双晶纳米带具有其他纳米带不具备的独特性能和应用前景，比如优异的介电性能、导热性和机械强度。由于其在生长方向上具有独特的双晶结构，Sialon双晶纳米带可用于光转换，以及用于构建纳米光探测器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sialon 双晶 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Sialon双晶纳米带，其特征是：将Si‑Al‑O‑N‑C粉末与碳粉混合，碳粉占混合粉料的重量比为2‑10%；混合粉料压制成圆环形预制块，在高压氮气环境下，通过化学气相沉积法生长，在圆环形预制块上形成Sialon双晶纳米带，所述Sialon双晶纳米带具有双晶结构，其厚度为10‑800nm，宽度为0.1‑10μm ，长1‑15mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学（威海），未经哈尔滨工业大学（威海）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210487457.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种字幕图文信息生成方法及装置
- 下一篇：一种南药卤蛋的加工方法
