[发明专利]一种单向导通电路有效

专利信息
申请号: 201210483872.9 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN102970017A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 金津 申请(专利权)人: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的目的在于提供一种单向导通电路,以克服芯片内集成二极管时,流过二级管的正向电流引起闩锁效应导致芯片失效甚至损毁的问题。本发明提供的单向导通电路利用一阻抗电路与一主MOS管连接,所述阻抗电路上的压降控制主MOS管强制导通,正向电流完全从主MOS管的沟道流过而不经过其体二极管,解决了在需要二极管正向导通电流的应用场合片内集成二极管时,所产生的寄生效应带来的影响,其运用灵活多变,具有很强的实用性。
搜索关键词: 一种 向导 通电
【主权项】:
一种单向导通电路,电流从其第一连接端流向第二连接端而不能反向流通,其特征在于,包括一主MOS管和一阻抗电路;其中所述阻抗电路的第一端口连接至所述主MOS管的源极,其第二端口连接至所述主MOS管的栅极;当电流从所述第一连接端流向第二连接端时,所述阻抗电路的电压大于所述主MOS管的导通阈值电压,所述主MOS管导通,电流完全流过所述主MOS管的沟道而不经过其体二极管;当电流从所述第二连接端流向第一连接端时,所述主MOS管关断的同时其体二极管反偏。
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