[发明专利]用于光伏钝化的含氧前体有效
申请号: | 201210478641.9 | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN103022245A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | M·K·哈斯;A·玛利卡朱南;R·G·里德格瓦伊;K·A·胡特奇松;M·T·萨沃 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了在光伏电池上沉积钝化层的方法。该方法包括沉积包括至少双层的钝化层,该双层进一步包括氧化硅层和氮化硅层。用于沉积氧化硅层或氮化硅层的硅前体分别选自Si(OR1)xR2y族或SiRxHy族、硅烷及其组合,其中x+y=4,y≠4,R1为C1-C8烷基,R2选自氢、C1-C8烷基和NR*3,R为C1-C8烷基或NR*3;其中R*可以是氢或C1-C8烷基,C1-C8烷基可以是直链、支链或环状的,配体是饱和的、不饱和的或芳香族的(对于环状烷基)。还公开了包含所述钝化层的光伏器件。 | ||
搜索关键词: | 用于 钝化 含氧前体 | ||
【主权项】:
一种在腔室中在光伏电池上沉积至少一个钝化层的方法,包括步骤:提供具有前表面和后表面的光伏电池;提供第一硅前体;在所述光伏电池的至少一个表面上沉积具有5‑70nm范围厚度的氧化硅层;提供第二硅前体;提供氮源;以及在所述氧化硅层上沉积具有20‑200nm范围厚度的氮化硅层;其中具有25‑600nm范围厚度的该至少一个钝化层包括至少一个包含所述氧化硅层和所述氮化硅层两者的双层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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