[发明专利]一种半波电磁场发生器有效
申请号: | 201210455852.0 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN102946654A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 林华乡;许耀元;张英彪 | 申请(专利权)人: | 明达实业(厦门)有限公司 |
主分类号: | H05B6/06 | 分类号: | H05B6/06 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 361022 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种半波电磁场发生器,包括整流滤波模块、第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容、CPU控制模块、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片,该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入,该第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容以及加热模块一起组成H桥,该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率,该第一IGBT管的门极和第二IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。与现有技术相比,本发明结构简单、成本低廉,而且由于设置两个IGBT管,IGBT管反压得到有效控制,使用寿命长;另外还具有加热功率调节方便的功效。 | ||
搜索关键词: | 一种 电磁场 发生器 | ||
【主权项】:
一种半波电磁场发生器,其特征在于,包括整流滤波模块、第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容、CPU控制模块、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片,该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入,该第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容以及加热模块一起组成H桥,该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率,该第一IGBT管的门极和第二IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。
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