[发明专利]芍药无土栽培产业化盆花生产方法

摘要

本发明公开了一种芍药无土栽培产业化盆花生产方法，包括种苗选择及处理、栽培基质配制与消毒、配套施肥技术、促成栽培环境调控技术。使用该方法生产的芍药‘大富贵’盆花，产品在北京地区花期比大田花期提前50～60天，成品率达100%，每盆开花5枝以上，花径在12～15cm，株高为50～65cm，花色和花型正常，可以作为芍药‘大富贵’无土盆花产业化生产使用。

主权项

一种芍药无土栽培产业化盆花生产方法，包括如下步骤：1）种苗的选择及处理：秋季地上器官枯萎后，挖取3～4年生分株苗作为种苗，预处理及消毒处理后进行移栽；2）栽培基质配制及消毒：按照草炭：蛭石：珍珠岩体积比3：1：1混合作为无土栽培基质，进行化学消毒和高温消毒；3）配套的施肥方法：将芍药生长阶段划分为6个时期，为萌芽期、茎伸长期、茎叶生长期、成熟期、花期、花后期；萌芽期至茎伸长期：施用N、P、K质量百分比分别为30%：10%：10%的的水溶性复合肥，每个时期各施用一次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/株·次；茎叶生长期至成熟期：施用N、P、K质量百分比分别为：20%：20%：20%的水溶性复合肥，每个时期各施用两次，共施用4次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/株·次；花后期施用N、P、K质量百分比分别为：15%：10%：30%的水溶性复合肥，前两个月每20天施肥一次，施3次；之后，每40天施肥一次，施2次，地上器官开始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/株·次；4）促成栽培环境调控方法：温度控制：芍药上盆后，放置于室外接受自然低温，待温度降至0℃之后，保持温度在‑4~4℃40‑60天；如果室外温度低于‑4℃时，用草席覆盖于种植盆上以免植株受冻，或将盆移入温室，温室不加温，使温度保持在‑4~4℃40‑60天；之后进行人工加温，加温第1～7天，日温控制在10～15℃，夜温5～10℃；第8～17天，日温控制在15～20℃，夜温10～15℃；第18～35天，日温控制在20～25℃，夜温10～15℃；第36～45天，日温控制在25～28℃，夜温保持于15℃；第46～60天，未售出的产品，日温控制在20～25℃，夜温保持15～18℃；待室外平均温度稳定于25℃时，撤除温室塑料棚膜，或将盆 花移出温室，放于通风平坦开阔的地方；光照控制：当芍药植株移入温室全部萌芽后，对其进行补光，使植株顶部光照强度达到200μmol/m2s，补光时间为早上6：00点至8：00点，晚上16：30至19:30；水分及湿度控制：种苗上盆后浇水，之后保持基质湿润，加温催花过程中，温室湿度控制在40‑60%。