[发明专利]一种高精度弱磁场传感器无效
| 申请号： | 201210441894.9 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103809132A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 田边 | 申请（专利权）人： | 西安交大京盛科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 刘国智 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种高精度弱磁场传感器，包括多谐振荡模块，多谐振荡模块的输出接微分模块，微分模块的输出接峰值检波模块，峰值检波模块的输出接滤波模块，滤波模块的输出和参考电压一起输入至差分放大器，其中微分模块的输出上并接有一个接地的非晶带，外加磁场作用在该非晶带上，本发明能够满足高精度、小体积和高灵敏度的要求，适合在信息技术领域使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种高精度弱磁场传感器，其特征在于，包括多谐振荡模块，多谐振荡模块的输出接微分模块，微分模块的输出接峰值检波模块，峰值检波模块的输出接滤波模块，滤波模块的输出和参考电压一起输入至差分放大器，其中微分模块的输出上并接有一个接地的非晶带，外加磁场作用在该非晶带上。
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