[发明专利]一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法无效

专利信息
申请号: 201210421074.3 申请日: 2012-10-19
公开(公告)号: CN102874811A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 李忠;谭德新;陈明功 申请(专利权)人: 安徽理工大学
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 232001 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法,所采取的技术方案是:将清洗干燥后的木粉或竹粉100~200g,于真空炉中在500~700℃下碳化1~2h得到生物质炭粉;将生物质炭粉和SiO2凝胶按C/Si摩尔比为1∶1.5~3.0机械混合均匀,得到预混料;在纯氮气保护下将所述预混料升温到1450-1600℃,保温1~4h。保温时间结束后,以5~20℃/min的降温速率降温到800℃,然后关掉加热电源,自然冷却。本发明合成的一维碳化硅纳米晶须为链珠状,晶须长径比大;合成工艺简单,成本低,生产设备简单。
搜索关键词: 一种 形貌 控制 合成 链珠状一维 碳化硅 纳米 方法
【主权项】:
一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法,其特征在于该方法的步骤如下:将清洗干燥后的木粉或竹粉100~200g,于真空炉中在500~700℃下碳化1~2h得到生物质炭粉;将生物质炭粉和SiO2凝胶机械混合均匀,得到预混料;在纯氮气保护下将所述预混料升温到1450‑1600。℃,保温1~4h。保温时间结束后,以5~20℃/min的降温速率降温到800℃,然后关掉加热电源,自然冷却。
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