[发明专利]一种具有巨介电常数的低温共烧磁电复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210397951.8 申请日: 2012-10-18
公开(公告)号: CN102898132A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 杨海波;杨艳艳;林营;朱建锋;王芬 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/26;C04B35/622;C04B35/64
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种具有巨介电常数的低温共烧磁电复合材料及其制备方法,将Bi2O3和TiO2混合球磨,烘干,过筛,压块,预烧,然后粉碎后过120目筛得到Bi4Ti3O12粉体;将NiO,CuO,ZnO和Fe2O3混合后球磨,烘干,过筛,压块,预烧,粉碎后过120目筛得到Ni0.37Cu0.20Zn0.43Fe1.92O3.88粉体;将Bi4Ti3O12粉体和Ni0.37Cu0.20Zn0.43Fe1.92O3.88粉体混合均匀得混合粉料,向混合粉料中加入PVA粘合剂造粒,经60目与120目筛网过筛,得到所需复合材料的混合粉末;将复合材料的混合粉末按需要压制成型,排除粘合剂PVA,在940~950℃烧结成瓷,得到具有巨介电常数的低温共烧磁电复合材料。复合材料在20赫兹时介电常数高达13000~65000,1兆赫兹时的磁导率为8~55。
搜索关键词: 一种 具有 介电常数 低温 磁电 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有巨介电常数的低温共烧磁电复合材料,其特征在于:该复合材料的反应合成表达式为xBi4Ti3O12/(1‑x)Ni0.37Cu0.20Zn0.43Fe1.92O3.88,其中x为Bi4Ti3O12的质量百分数,且0.2≤x≤0.6,该复合材料在20赫兹时介电常数高达13000~65000,1兆赫兹时的磁导率为8~55。
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