[发明专利]一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210390782.5 申请日: 2012-10-15
公开(公告)号: CN102881727A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 朱丽萍;陈文丰;李潘剑;郑志东 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 刘晓春
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法,其中,高导电性的减反射膜为双层膜,底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜,顶层为SiO2薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法,包括如下步骤:1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜,2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀,3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理,4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO2薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备,具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点,可以降低太阳电池对太阳光的反射率,从而提高太阳电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 具有 导电性 减反射膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种透明导电减反射膜,其特征在于,所述的透明导电减反射膜为具有绒面陷光结构的双层薄膜,其中:底层为腐蚀并经氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜(31);顶层为SiO2薄膜(32)。
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