[发明专利]一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法有效
申请号: | 201210390782.5 | 申请日: | 2012-10-15 |
公开(公告)号: | CN102881727A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 朱丽萍;陈文丰;李潘剑;郑志东 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 刘晓春 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法,其中,高导电性的减反射膜为双层膜,底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜,顶层为SiO2薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法,包括如下步骤:1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜,2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀,3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理,4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO2薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备,具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点,可以降低太阳电池对太阳光的反射率,从而提高太阳电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 导电性 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电减反射膜,其特征在于,所述的透明导电减反射膜为具有绒面陷光结构的双层薄膜,其中:底层为腐蚀并经氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜(31);顶层为SiO2薄膜(32)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的