[发明专利]免变质过共晶铝硅合金的制备方法无效
| 申请号： | 201210389350.2 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102864350A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李元东;何明涛;马颖;陈体军;郝远 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/03 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 730050 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 免变质过共晶铝硅合金的制备方法，用高硅铝合金（质量分数25%Si）和纯铝进行配制，将高硅铝合金和纯铝按照质量比例2.57/1～7.33/1分别在两个电炉中熔化，高硅铝合金的温度为900℃，纯铝的温度为660℃。将熔化好的高硅合金熔体倒入纯铝熔体中，并施以搅拌、静置，达到设定的浇铸温度（700℃）后成形；配制后的合金熔体不再进行变质处理，直接铸造，即可得到尺寸细小、形状规整的初生硅相。 | ||
| 搜索关键词： | 变质 共晶铝硅 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
免变质过共晶铝硅合金的制备方法，其步骤为：（1）将质量分数为25% Si的高硅铝合金和纯铝按照质量比例2.57/1～7.33/1的比例称取，分别熔炼；（2）将熔化好的高硅合金熔体在900℃时倒入纯铝熔体中，此时纯铝熔体温度为660℃；（3）进行搅拌、静置，达到浇铸温度700℃后浇注成形。
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