[发明专利]聚合物表面纳米线阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201210382459.3 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102887477A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈延峰;葛海雄;袁长胜;卢明辉 | 申请（专利权）人： | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚合物表面纳米线阵列及其制备方法。该聚合物表面纳米线阵列包括聚合物平板、表面垂直或者倾斜于聚合物平板的聚合物纳米线。其制备方法包括以下步骤：（1）将聚合物衬底表面进行适当的处理；（2）将石英微针阵列压入聚合物衬底的表面；（3）将石英微针阵列与聚合物表面垂直分离一定距离并平移一定距离保持一定时间；（4）将石英微针阵列与聚合物表面彻底分离，即得聚合物表面纳米线阵列。本发明结构新颖，制备简单，可在光学、光电、信息等领域获得广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 表面 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
聚合物表面纳米线阵列，其特征是，包括聚合物平板和位于聚合物平板表面的聚合物纳米线，所述聚合物纳米线垂直或者倾斜于聚合物平板；所述的聚合物为可热熔加工或者可溶剂溶解的聚合物材料。
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