[发明专利]基于PDMS的纳米级光栅制作方法有效
| 申请号： | 201210381719.5 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102879845A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王万军;段俊萍;张斌珍;杨潞霞;崔敏;姚德启;张勇;范新磊 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及光栅制作技术领域，具体为一种基于PDMS的纳米级光栅制作方法，解决了现有的纳米光栅制作方法所用设备昂贵、工艺条件苛刻复杂、难以控制、制作成本高、周期长的问题。一种基于PDMS的纳米级光栅制作方法，包括如下步骤：a、用光刻技术制作光栅母模版（5）；b、将步骤a中的光栅母模版（5）的光栅图案转移到PDMS薄膜（6）上，制作带有光栅图案的PDMS薄膜（7）；c、将带有光栅图案的PDMS薄膜（7）夹持在电控平移台上。本方法得到的纳米级光栅首先成型在PDMS薄膜上，而PDMS是一种很好的中间模具材料，对此PDMS薄膜再次倒模，便可以制作出其它多种材料的纳米级光栅。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 pdms 纳米 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于PDMS的纳米级光栅制作方法，其特征在于：包括如下步骤：a、用光刻技术制作光栅母模版（5）；b、将步骤a中的光栅母模版（5）的光栅图案转移到PDMS薄膜（6）上，制作带有光栅图案的PDMS薄膜（7）；c、将带有光栅图案的PDMS薄膜（7）夹持在电控平移台上，设定拉伸比例参数后，沿栅线（8）的长度方向双向拉伸带有光栅图案的PDMS薄膜（7），栅线（8）的宽度随着栅线（8）被拉长而变窄，即光栅图案的周期变小，然后将拉伸后的PDMS薄膜（9）固定在一片平整的基底（4）上；d、将拉伸后的PDMS薄膜（9）上的周期变小的光栅图案转移到PMMA薄膜（10）上，成为下一步骤的光栅母模版（5）；e、依次重复步骤b、c、d若干次，直至制作成纳米级的基于PMMA薄膜的光栅母模版（5）；f、将步骤e中的光栅母模版（5）的光栅图案转移到PDMS薄膜上，制作具有纳米级光栅图案的PDMS薄膜；g、以步骤f中具有纳米级光栅图案的PDMS薄膜为母模版，制作其它多种材料的纳米级光栅。
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