[发明专利]两步法低能耗制备高绝缘性阳极氧化铝薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210353860.4 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102864479A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王文峰;王存彬;廖文翔;张军 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C25D11/12 | 分类号： | C25D11/12 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种利用阳极氧化低能耗制备高绝缘性氧化铝薄膜的方法，它是金属铝经过前处理后，对其进行阳极氧化分作两步完成；第一步阳极氧化采用的氧化电压在10V-60V之间，氧化温度在10-60℃之间，电流密度在5-10A/dm2之间；当生成的阳极氧化薄膜接近预先设定的薄膜厚度时第一步阳极氧化结束，开始第二步阳极氧化；第二步阳极氧化采用的氧化电压在100V-300V之间，氧化温度在-20-0℃之间，电流密度在0.1-1A/dm2之间；当第一步阳极氧化所生产阻挡层完全变成多孔层后第二步阳极氧化结束。采用本发明的两步阳极氧化法制备高绝缘性阳极氧化薄膜的能耗比直接一步法制备高绝缘性阳极氧化薄膜的能耗节约达80%。 | ||
| 搜索关键词： | 步法 能耗 制备 绝缘性 阳极 氧化铝 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用阳极氧化低能耗制备高绝缘性氧化铝薄膜的方法，其特征在于：金属铝经过前处理后，对其进行阳极氧化是分作两步完成的；第一步阳极氧化采用的氧化电压在10V‑60V之间，氧化温度在10‑60℃之间，电流密度在5‑10A/dm2之间；当生成的阳极氧化薄膜接近预先设定的薄膜厚度时第一步阳极氧化结束；第二步阳极氧化采用的氧化电压在100V‑300V之间，氧化温度在‑20‑0℃之间，电流密度在0.1‑1A/dm2之间；当第一步阳极氧化所生成阻挡层完全变成多孔层后第二步阳极氧化结束。
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