[发明专利]一种基于共路干涉的集成电场传感器

摘要

本发明涉及一种基于共路干涉的集成电场传感器，属于电场测量技术领域。传感器包括铌酸锂基片、硅基片、垫片、探测单元和调制单元，铌酸锂基片和硅基片通过紫外固化胶相互粘接，铌酸锂基片和硅基片分别通过紫外固化胶与垫片相互粘结。探测单元包括两个上接触电极、连接导线和两个偶极子天线；调制单元包括两个下接触电极、光波导和两个调制电极。本发明的电场传感器，具有良好的温度稳定性；在保证传感器尺寸较小的基础上，显著提高了电场测量的灵敏度和动态范围；本发明设计的二维电场传感器，使探测单元中的两对天线的轴线方向正交，与调制单元相组合，可实现二维电场测量。

主权项

一种基于共路干涉的集成电场传感器，其特征在于该电场传感器包括铌酸锂基片、硅基片、垫片、探测单元和调制单元，所述的铌酸锂基片和硅基片通过紫外固化胶相互粘接，铌酸锂基片和硅基片分别通过紫外固化胶与垫片相互粘结；所述的探测单元包括两个上接触电极、连接导线和两个偶极子天线，两个偶极子天线分别通过光刻方法附着在硅基片的表面，所述的两个偶极子天线分别为三角形，偶极子天线的轴线方向长度La为2mm‑20mm，偶极子天线的底部宽度Wa为100μm‑400μm，两根偶极子天线之间的间距Ga为20μm‑60μm，偶极子天线的轴线方向与硅基片的长度方向平行，所述的上接触电极通过光刻方法附着在硅基片的表面，两个上接触电极与两个偶极子天线之间分别通过连接导线实现电气连接；所述的调制单元包括两个下接触电极、光波导和两个调制电极，所述的下接触电极通过光刻方法附着在铌酸锂基片的表面，调制单元的下接触电极与探测单元的上接触电极通过金属焊点实现电气连接，所述的光波导通过金属扩散方法在铌酸锂基片上制作，所述的两个调制电极通过光刻方法附着在铌酸锂基片的表面，两个调制电极位于所述的光波导的两侧，两个调制电极分别通过连接导线与两个下接触电极实现电气连接，调制电极的长度Le为3mm‑5mm，宽度We为15μm‑30μm，两个调制电极之间的间距Ge为15μm‑30μm。