[发明专利]一种具有异质结的碳纳米管垂直阵列结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210345378.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102862974A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 侯鹏翔;宋曼;刘畅;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及异质结碳纳米管垂直阵列结构的可控制备领域，具体为一种具有异质结碳（氮掺杂/未掺杂）的碳纳米管垂直阵列结构的可控制备方法。异质结也指分子内节，是由两种不同类型的碳纳米管即氮掺杂和未掺杂碳纳米管在连接处形成。以沉积在Si基片或SiOX/Si基片上的铁为催化剂，利用化学气相沉积法，在碳纳米管垂直阵列生长过程中，适时加入氮源，获得氮掺杂/未掺杂的碳纳米管异质结垂直阵列，并可对异质结的长度、个数和结构等进行有效、精确控制。本发明提供的可控制备异质结垂直阵列结构的方法简单，异质结结构明显，且异质结过渡区窄、结构均一，可望在二极管、纳米开关、放大器等领域获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 异质结 纳米 垂直 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有异质结的碳纳米管垂直阵列结构的制备方法，其特征在于，以沉积在Si基片或SiOX/Si基片上的铁为催化剂，碳源为碳氢有机物，含氮碳源为乙腈，采用化学气相沉积法，先在Ar/H2混合气氛下，用碳氢有机物合成未掺杂的碳纳米管，根据需要生长一段时间后，用Ar气载入乙腈蒸气，生长氮掺杂碳纳米管，获得不同结构的氮掺杂/未掺杂碳纳米管垂直阵列。
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