[发明专利]在高磁场下使用的二硼化镁超导线圈的超导接头无效
| 申请号： | 201210335083.0 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102867611A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 胡倾宇;郑杰;许建益 | 申请（专利权）人： | 宁波健信机械有限公司 |
| 主分类号： | H01F6/06 | 分类号： | H01F6/06;H01R4/68;H01L39/12 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 315400 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在高磁场下使用的二硼化镁超导线圈的超导接头。超导接头处的载流能力通常低于超导线本身，这是因为两根导线的晶粒连接时会形成弱连接，在载流情况下，受外磁场的影响非常大，通常很小的磁场就可以使无阻电流大幅度下降。本发明是在高磁场下使用的二硼化镁超导线圈的超导接头，包括超导屏蔽桶及与其配合插接的超导屏蔽桶盖，所述超导屏蔽桶内设有超导接头，其中，所述超导接头连接一根二硼化镁超导线的两端，所述超导屏蔽桶及超导屏蔽桶盖由高温超导块材制成，所述高温超导块材系采用顶部籽晶熔融织构生长工艺加工成型的ReBa2Cu3O7-δ畴材料，Re代表Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或者Lu；所述二硼化镁超导线的运行温度为4~30K。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 使用 二硼化镁 超导 线圈 接头 | ||
【主权项】：
一种在高磁场下使用的二硼化镁超导线圈的超导接头，包括超导屏蔽桶及与其配合插接的超导屏蔽桶盖，所述超导屏蔽桶内设有超导接头，其特征在于：所述超导接头连接一根二硼化镁超导线的两端，所述超导屏蔽桶及超导屏蔽桶盖由高温超导块材制成，所述高温超导块材系采用顶部籽晶熔融织构生长工艺加工成型的ReBa2Cu3O7‑δ畴材料，Re代表Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或者Lu；所述二硼化镁超导线的运行温度为4~30K。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波健信机械有限公司，未经宁波健信机械有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210335083.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种变压器
- 下一篇：一株反硝化聚磷细菌H-hrb02及其筛选方法和应用
