[发明专利]一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统有效
| 申请号： | 201210302329.4 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102832562A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 谭向宇;杨卓;赵现平;王达达;王科;彭晶;张少泉;马仪;陈磊;徐肖伟;刘红文;马宏明;文斌;王振 | 申请（专利权）人： | 云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院;云南电网公司技术分公司 |
| 主分类号： | H02B13/075 | 分类号： | H02B13/075 |
| 代理公司： | 昆明大百科专利事务所 53106 | 代理人： | 何健;张代民 |
| 地址： | 650217 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，本发明将双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4），最终将VFTO脉冲（7）携带的残余电荷消耗吸收殆尽。本发明实现了GIS内部VFTO脉冲残余电荷消除，安装属于一体化安装，使用方便，具有占地面积小，安全可靠，效果明显等显著优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 gisvfto 残余 电荷 泄漏 电阻 系统 | ||
【主权项】：
一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断口隔离开关（1）、大功率电阻片（2）、上铁氧体磁环（3）、盆式绝缘子（6）、下铁氧体磁环（8），其特征是：双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4）。
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