[发明专利]高性能低成本IGBT 负压自举驱动电路

摘要

高性能低成本IGBT负压自举驱动电路，包括直流电源、下臂光耦、栅极电阻R3、下臂绝缘栅双极型晶体管Q2、负压电容C4和稳压二极管D5；上臂快恢复二极管D1、上臂光耦、自举电容、栅极电阻R1、上臂绝缘栅双极型晶体管Q1、负压电容C3和稳压二极管D2。改进处为：上臂Q1的栅极和发射极间增设一支路,一端与Q1发射极相连，另一端连在上臂光耦输出脚到Q1栅极间的电路上；该支路有稳压二极管D6和反向串联的快恢复二极管D7。Q1开通时，栅极-发射极间电压是IGBT的最佳驱动电压，Q1关断时是负压，因此可以可靠地关断Q1。本发明解决了现有IGBT负压自举电路不能实现充电，上臂IGBT不能可靠关断，在大负载时出现烧毁设备的问题。设计参数合理，损耗小。节省了独立电源数目，使成本降低。用于驱动电机、逆变上网和变频器。

主权项

高性能低成本IGBT负压自举驱动电路，包括:1)设如下组成的下臂驱动电路：独立低压直流电源A、下臂驱动光耦L2、滤波电容C5、滤波电容C6、栅极电阻R3、限流电阻R2、绝缘栅双极型晶体管Q2和续流二极管D4、负压电容C4、稳压二极管D5；2)设如下组成的上臂驱动电路：与独立低压直流电源A连接的快恢复二极管D1、上臂驱动光耦L1、自举电容C1、电容C2、栅极电阻R1、绝缘栅双极型晶体管Q1和续流二极管D3、负压电容C3、稳压二极管D2；其特征是：上臂绝缘栅双极型晶体管Q1的栅极和发射极之间增设一支路,该支路一端N与Q1发射极相连，另外一端连在上臂光耦输出端V0到Q1的栅极之间的电路上，另外一端分别取为：光耦输出端V0与Q1的栅极电阻R1之间的位置W1，或者栅极电阻R1与Q1栅极之间的位置W2；该支路上设一只稳压二极管D6和一只与稳压二极管D6反向串联的快恢复二极管D7。