[发明专利]一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210296056.7 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102784615A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 张腾;古宏伟;丁发柱;屈飞;戴少涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | B01J20/10 | 分类号： | B01J20/10;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法。首先采用水热法制备Fe3O4纳米粒子，随后通过四乙氧基硅烷（TEOS）的水解反应制备具有致密硅壳层结构的磁性纳米粒子Fe3O4@SiO2，最后以Cu2+离子为模板离子、含氮硅烷化试剂（aapts,H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OMe)3）为功能单体、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为致孔剂、TEOS为交联剂在Fe3O4@SiO2表面沉积多孔Cu2+离子印迹硅胶层，所得的磁性铜离子印迹材料可对Cu2+离子进行快速选择性富集、且具有优异的再生性能和耐酸性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 离子 印迹 硅胶 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法，其特征在于所述的制备方法首先采用水热法制备Fe3O4纳米粒子，随后通过四乙氧基硅烷（TEOS）的水解反应制备硅壳包覆层的磁性纳米粒子Fe3O4@SiO2，最后以Cu2+离子为模板离子、含氮硅烷化试剂（aapts,H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OMe)3）为功能单体、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为致孔剂、TEOS为交联剂在Fe3O4@SiO2表面沉积多孔Cu2+离子印迹硅胶层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210296056.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高容量阀控密封蓄电池极群组连接结构
- 下一篇：一种含风道结构的储能电池柜
