[发明专利]三维平面磁传感器无效
申请号: | 201210242300.1 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN103543414A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 赖孟煌;袁辅德;潘海涛;许仁华;张庆瑞 | 申请(专利权)人: | 爱盛科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台湾新北市汐止*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种三维平面磁传感器,包含第一磁传感器、第二磁传感器、第三磁传感器及电路,第一磁传感器、第二磁传感器及第三磁传感器设置于同一平面,分别量测磁场第一方向、第二方向及第三方向的分量,第三方向垂直于第一方向及第二方向,第三磁传感器包含磁化方向为第三方向或反向的第三固定层、第三磁绝缘层及第三自由层,第三自由层的自发磁化方向为第一方向、第二方向或与第三方向呈0~180度倾斜,其磁阻值在自发磁化方向为中间值,磁阻值受到磁场而变化,三维平面磁传感器以半导体制程制作,不需垂直黏接,提高产能及耐用性,减少成本及时间。 | ||
搜索关键词: | 三维 平面 传感器 | ||
【主权项】:
一种三维平面磁传感器,其特征在于,包含:一第一磁传感器,用以量测一外部磁场在一第一方向的分量;一第二磁传感器,用以量测一外部磁场在一第二方向的分量,该第二方向与该第一方向在一平面上垂直;一第三磁传感器,包含至少一第三固定层、至少一第三磁绝缘层以及一第三自由层,该第三自由层设置在最上层,该至少一第三磁绝缘层设置于该至少一第三固定层之间,以及该至少一第三固定层的最上层及该第三自由层之间,其中该至少一第三固定层的磁化方向为一第三方向或与该第三方向呈180度反向,该第三方向与该第一方向及该第二方向均垂直,该第三自由层的自发磁化方向为该第一方向、该第二方向或与该第三方向呈0至180度倾斜,该第三自由层的磁阻值在该第三自由层的自发方向为一中间值,当受到该外部磁场时,磁阻值会变大或变小,从而测量该磁场在该第三方向的分量;以及一电路,与该第一磁传感器、该第二磁传感器以及该第三磁传感器连接,对该第一磁传感器、该第二磁传感器以及该第三磁传感器提供电流或电压,其中该第一磁传感器、该第二磁传感器以及该第三磁传感器设置于同一平面。
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